Tantalum cevi, ki se uporabljajo v polprevodniškem polju

Shaanxi Zhongheng Weichuang Metal Materials Co., Ltd. supplies high-quality rare metals, mainly including niobium hafnium alloy 103, tungsten, tantalum, niobium, hafnium, titanium, zirconium, nickel, vanadium and alloys of conventional processed profiles such as plates, strips, coils, Palice, žice, cevi, pa tudi globoko predelani izdelki, kot so ladje, križnice, tarče za brizganje, cilji premaza, obdelani deli, visoki - temperaturni izolacijski zasloni, ogrevalne elemente, telesa peči (ogrevalna pečas, korozije, korozije - opreme.

Kot proizvajalec, dobavitelj in izvoznik Tantaluma zagotavljamo visoko - čistost, visoko - odporne na temperaturo, korozijo - odporne, vesoljske, obrambne, vojaške in pomorske inženirske specializirane izdelke z brezplačnimi kakovostnimi cenami in bolj ugodnimi cenami! Služba za stranke je vedno na spletu, zato nimate skrbi.
 

Značilnosti in lastnosti

 

Visoka tališča in dobra prevodnost

Tantalum ima tališče do 2996 stopinj C, kar omogoča, da stalno deluje v visokotemperaturnih okoljih. Tantalum ima odlično prevodnost in je primeren za različne visoke - temperaturne prevodne aplikacije v proizvodnji polprevodnikov.

Kemična stabilnost in nizka stopnja izhlapevanja

Tantalum ima odlično kemično stabilnost pri visokih temperaturah in ga ni enostavno reaktirati z večino plinov in tekočin, zaradi česar je primeren za jedko okolje. Tantalum ima izjemno nizko hitrost izhlapevanja pri visokih temperaturah in je primeren za uporabo v vakuumskem ali nizkem- tlačnem okolju.

Visoka čistost in mehanska trdnost

Polprevodniška proizvodnja zahteva izjemno visoko čistost materiala, cevi Tantalum pa so običajno zelo očiščene, da se prepreči nečistoče, ki vplivajo na delovanje polprevodniških naprav. Tantalum ima visoko mehansko trdnost in lahko prenese mehanski stres pri visokih temperaturah.

Pri proizvodnji polprevodniških čipov Tantalum cevi postanejo temeljni substrat razpršenih ciljev po natančni obdelavi. Ocena 5N5 (čistost 99.9995%) Velika - velikosti Tantalum Target Blank, ki ga je proizvajala Dongfang Tantalum industrija, je bila uporabljena za nanašanje bakrene pregradne plasti v 7nm procesu, pri čemer je velikost zrn nadzorovala v 20 μ m, pri čemer je dosegla mednarodno vodilno raven debeline. Tipičen primer kaže, da je domači 12 -palčni rezinski fab z uporabo te vrste ciljnega materiala povečal donos čipa za 12%, življenjska doba ciljnega materiala pa se je razširila na 2,3 -krat večja od tradicionalnih ciljev titana. Ta uspešnost izhaja iz edinstvene kristalne strukture Tantalum - Njegove kubične rešetke, osredotočene na telo, lahko učinkovito zavira difuzijo bakrenega atoma in se izogne ​​kratkim vezjem vezja.

0,15 mm kondenzator Tantalum, ki se uporablja v zložljivih telefonih, zahteva, da njegova notranja svinčena cev zdrži 100000 upogibnih testov. Ultrafina cev Tantalum (premer 0,8 mm, debelina stene 0,05 mm), ki jo je razvil Baoji Yixintai, je bila podvržena hladnemu valjanju elektrolitskega procesa, ki je zmanjšala hrapavost površine na RA0,1 μm in znižala ESR (enakovredna odpornost serije) na 5m Ω. Glede na dejanske testne podatke serije Huawei P70, ta tehnologija izboljša hitro učinkovitost polnjenja za 18%, stopnja razpadanja zmogljivosti pa je manjša od 2% na tisoč ur v visokem temperaturnem okolju 85 stopinj

Elektronska delovna funkcija Tantaluma (4,25 eV) je bistveno višja kot pri bakrom (4,0 eV) in titana (4,1 eV), med postopkom PVD pa se lahko ustvari gostejša struktura tankega filma. Eksperimentalni podatki kažejo, da je gostota toka puščanja plasti Tantalum pregrade 1-2 vrstnega reda nižja od titanovega nitrida, kar je ključnega pomena za medplastno izolacijo 3D Nand spomina Globalno letno povpraševanje po polprevodniškem razredu Tantalum znaša le 60%.

Z prebojem vozlišč polprevodniških procesov pod 3NM se uporaba cevi Tantalum razteza od tradicionalnih materialov pregradne plasti do rezanja - robnih polj, kot so tri - integrirane integrirane toplotne upravljanje in kvantne naprave. Na tehnični ravni je razvoj nanoporoznih cevi Tantalum (poroznost 70% -90%) vstopil v pilotsko stopnjo, s specifično površino 200-300m ²/g, ki lahko znatno izboljša hitrost uporabe predhodnika atomskega nanosa (ALD). Tržne napovedi kažejo, da se bo globalno povpraševanje po ceveh Tantalum za polprevodnike razširilo na sestavljeno letno stopnjo rasti 11,8% od leta 2025 do 2030, pri čemer bo heterogena integrirana embalaža predstavljala več kot 40%.

Omeniti velja, da je najnovejši ključni seznam mineralov, ki ga je objavilo ameriško ministrstvo za energijo (DOE), Tantalum navedel kot "izjemno pomemben material", njegova strateška vrednost pa je preoblikovanje pokrajine globalne dobavne verige. Kitajska naj bi do leta 2027 dosegla 70 -odstotno domačo stopnjo substitucije z integracijo virov Yichun Tantalum rude in preboja v tehnologiji čiščenja na 6n ravni.

Priljubljena oznake: Tantalum cevi, ki se uporabljajo v polprevodniškem polju, kitajske cevi Tantalum, ki se uporabljajo pri proizvajalcih polprevodniškega polja, dobaviteljev, tovarni